Press Enter to view all results
S9014 BjT - 45V 100mA NPN Bipolar Transistors

S9014 BjT - 45V 100mA NPN Bipolar Transistors

Manufacturer: HXY MOSFET
SKU: S18405
Pricing
৳ 2.250
In Stock: 2,619
Standard delivery: 3-5 business days
Specifications
Manufacturer HXY MOSFET
brand HXY MOSFET
collector-emittervceo 45V
easyeda-id C920324
mounting SMD/SMT
package-size SOT-23
power-dissipation 200mW

VBZM150N03 N-Channel 30V (D-S) MOSFET

এটি একটি শক্তিশালী N-Channel 30V MOSFET, যা বিশেষভাবে DC/DC কনভার্টার, UPS/IPS এবং OR-ing এর মতো অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এর DT-Trench Power MOSFET প্রযুক্তি হাই পারফরম্যান্স এবং ইফিসিয়েন্সি নিশ্চিত করে। প্রোডাক্টটি RoHS Directive 2011/65/EU অনুসারে কমপ্লায়েন্ট এবং প্রতিটি ইউনিট Rg ও UIS টেস্টেড।

Simplified Schematic

Block diagram of VBZM150N03

VBZM150N03 একটি হাই কুয়ালিটি N-Channel MOSFET যা 30VDS ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ এবং 140A পর্যন্ত ড্রেন কারেন্ট সাপোর্ট করে। এর গেট-সোর্স ভোল্টেজ (VGS) ±20V পর্যন্ত সহ্য করতে পারে, যা কন্ট্রোলিং এবং ড্রাইভিং সার্কিটের স্থায়িত্ব নিশ্চিত করে এবং ইন্সট্যান্টেনিয়াস লোডের ক্ষেত্রে খুবই উপযোগী।

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating (Max)

Units

Drain-Source Voltage

 VDS

30

V

Gate-Source Voltage

 VGS

±10

Continuous Drain Current, (TJ =175℃)

TC=25℃

ID

140 a, e

A

TC=70℃

 110e

TA=25℃

 39b, c

TA=70℃

 28b, c

Continuous Source-Drain Diode Current

TC=25℃

IS

90a, e

TA=25℃

3.13b, c

Pulsed Drain Current

 IDM

370

Avalanche Current Pulse

L = 0.1 mH

IAS

39

Single Pulse Avalanche Energy

EAS

375

mJ

Maximum Power Dissipation

TC=25℃

PD

250a

W

TC=70℃

175

TA=25℃

3.75b, c

TA=70℃

2.63b, c

Storage and Junction Temperature Range

 TSTG, TJ

-55 to 175

℃

এগুলো শুধুমাত্র স্ট্রেস রেটিং। এর বেশি হলে মস্ফেটটি পুড়ে যেতে পারে।

Specifications of VBZM150N03 MOSFET

Static Parameters

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ.

Max

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

VDS

VGS = 0 V, ID = 250 µA

30

----

----

V

Temperature Coefficient

∆VDS/TJ

ID = 250 µA

----

35

----

mV/°C

Temperature Coefficient

∆VGS/TJ

----

-7.5

----

Gate-Source Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS, ID = 250 µA

1.0

----

3.0

V

Gate-Source Leakage

IGSS

VDS = 0 V, VGS = ± 20 V

----

----

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS = 0 V, VGS = ± 20 V

----

----

1

µA

VDS = 24 VGS = 0 V, TJ = 55 °C

----

----

10

On-State Drain Currentf

ID(on)

VDS ≥5 V, VGS = 10 V

90

----

----

A

Forward Transconductanceg

gFS

VDS = 15 V, ID = 38.8 A

----

160

----

S

Drain-Source On-State Resistancef

RDS(on)

VGS = 10 V, ID = 38.8 A

----

0.0020

----

Ω

VGS = 4.5 V, ID = 37 A

0.0028

Dynamic Parameters

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Input Capacitance

CISS

VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz

----

8400

----

pF

Output Capacitance

COSS

----

1725

----

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

----

970

----

Total Gate Charge

QG

VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A

----

171

257

nC

VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 28.8 A

----

81.5

123

Gate-Source Charge

QGS

----

34

----

Gate-Drain Charge

QGD

----

29

----

Gate Resistance

RG

f = 1 MHz

----

1.4

2.1

Ω

Turn-On Delay Time

tD(on)

VDD = 15 V, RL = 0.625 Ω ID ≅ 24 A, VGEN = 10 V, Rg = 1 Ω

----

18

27

nS

Rise Time

tR

11

17

Turn-Off Delay Time

tD(off)

70

105

Fall Time

tF

10

15

Turn-On Delay Time

tD(on)

VDD = 15 V, RL = 0.67 Ω ID ≅ 22.5 A, VGEN = 4.5 V, Rg = 1 Ω

----

55

83

Rise Time

tR

180

270

Turn-Off Delay Time

tD(off)

55

83

Fall Time

tF

12

18

Drain-Source Body Diode Characteristics

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Input Capacitance

CISS

TC = 25°C

----

140

----

A

Pulse Diode Forward Currentf

ISM

----

----

370

----

Body Diode Voltage

VSD

IS = 22A

----

0.8

----

V

Body Diode Reverse Recovery Time

tRR

IF = 20 A, di/dt = 100 A/µs, TJ = 25 °C

----

52

78

nS

Body Diode Reverse Recovery Charge

QRR

----

70.2

105

nC

Reverse Recovery Fall Time

tRRF

----

27

----

nS

Reverse Recovery Rise Time

tRRR

----

25

----

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Typ.

Max

Unit

Thermal Resistance Junction-ambienta, d

t≦10s

 RθJA

32

40

 ℃/W

Thermal Resistance Junction-case

Steady State

RθJC

0.5

0.6

Note:

  1. Based on TC = 25 °C.
  2. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
  3. t = 10 sec.
  4. Maximum under steady state conditions is 90 °C/W.
  5. Calculated based on maximum junction temperature. Package limitation current is 90 A.
  6. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%.
  7. Guaranteed by design, not subject to production testing.

Figure 1: Switching test circuit

Figure 2: Switching Waveforms of AP4580